Линейка ИК-гетерофотодиодов
Применение:
Теплопеленгация,
пирометрия,
газовый анализ
Отрасль/Область применения:
Описание:
Конструкция:
• Многослойная гетероструктура с фоточувствительной областью InAs;
• Ввод излучения – через слой (FSI геометрия);
• Размерность 32×1 с общим катодом;
• Размер фоточувствительной площадки 130×130 мкм;
• Шаг элементов 170 мкм;
• Размер чипа 6.2×1 мм.
Преимущества:
• Работа в широком интервале температур от 150 К до 400 К;
• Высокое быстродействие (от десятков нс);
• Работа в фотовольтаическом режиме (без внешнего смещения);
• Максимальная чувствительность по сравнению с аналогами.
ОКПД2:
26.40.33
Характеристики продукта (ТТХ):
| Характеристика | Единица измерения | Значение |
|---|---|---|
| Длина волны в максимуме фоточувствительности | мкм | 3.3÷3.4 |
| Токовая чувствительность | А/Вт | ≥1.3 |
| Квантовая эффективность | ≥0.5 | |
| Темновое сопротивление | кОм | ≥4 |
| Обнаружительная способность | Вт-1·Гц1/2·см | ≥0.8Е9 |
Наличие слота для микро SD карты:
Нет
| Организация | Описание | Регион | Адрес | Контакты |
|---|---|---|---|---|
| АО "ЦНИИ "Электрон" | Производитель | Санкт-Петербург | 194223, г. Санкт-Петербург, пр. Тореза, дом 68, лит Р |
zakaz@niielectron.ru,www.niielectron.ru
+7 (812) 297-82-49 доб. 394 |
Статус внесения в реестр Минпромторга:
«»
Купить
Цена по запросу