Связаться с нами
Высокие технологии
для цифровой экономики
Продукты и решения
ТНГ200200-50 транзистор GaN
Мощность, Вт:
200
Тип:
GaN
Рабочее напряжение, В:
50
Рабочий диапазон температуры:
-60/+125
Применение:
Нитрид галлиевые транзисторы ТНГ200200-50 в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1 предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 2700 МГц
Отрасль/Область применения:
Описание:

Мощные СВЧ транзисторы на основе нитрида галлия для применения в усилительных каскадах L-, S-, и X-диапазонах частот. За счет малых значений паразитных параметров обладают повышенными эксплуатационными характеристиками. Применяются в системах с повышенными требованиями к энергетическим характеристикам.

Дополнительные материалы:
ОКПД2:
26.11.21.120
Дата завершения разработки:
28.05.2019
Характеристики продукта (ТТХ):
Характеристика Единица измерения Значение
Выходная мощность Вт 200
Верхняя рабочая частота МГц 2700
Коэффициент усиления по мощности дБ 13,5
Коэффициент полезного действия стока % 55
Крутизна характеристики А/В 7,1
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Ом 0,12
Напряжение отсечки В -3,7…-2,3
Входная емкость пФ 29,8
Выходная емкость пФ 17,3
Проходная емкость пФ 1,9
Перечень модификаций:
ТНГ200200-50
Организация Описание Регион Адрес Контакты
АО «НИИЭТ» Производитель Воронежская область 394033, г. Воронеж, Старых Большевиков д. 5 neau@niiet.ru
+7 (473) 222-91-70
Купить
Цена по запросу
Документация по ЕПОЗ