ТНГ200200-50 транзистор GaN
Мощность, Вт:
200
Тип:
GaN
Рабочее напряжение, В:
50
Рабочий диапазон температуры:
-60/+125
Применение:
Нитрид галлиевые транзисторы ТНГ200200-50 в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1 предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 2700 МГц
Отрасль/Область применения:
Описание:
Мощные СВЧ транзисторы на основе нитрида галлия для применения в усилительных каскадах L-, S-, и X-диапазонах частот. За счет малых значений паразитных параметров обладают повышенными эксплуатационными характеристиками. Применяются в системах с повышенными требованиями к энергетическим характеристикам.
Дополнительные материалы:
ОКПД2:
26.11.21.120
Дата завершения разработки:
28.05.2019
Характеристики продукта (ТТХ):
| Характеристика | Единица измерения | Значение |
|---|---|---|
| Выходная мощность | Вт | 200 |
| Верхняя рабочая частота | МГц | 2700 |
| Коэффициент усиления по мощности | дБ | 13,5 |
| Коэффициент полезного действия стока | % | 55 |
| Крутизна характеристики | А/В | 7,1 |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | Ом | 0,12 |
| Напряжение отсечки | В | -3,7…-2,3 |
| Входная емкость | пФ | 29,8 |
| Выходная емкость | пФ | 17,3 |
| Проходная емкость | пФ | 1,9 |
Перечень модификаций:
ТНГ200200-50
Наличие слота для микро SD карты:
Нет
| Организация | Описание | Регион | Адрес | Контакты |
|---|---|---|---|---|
| АО "НИИЭТ" | Производитель | Воронежская область | 394033, г. Воронеж, Старых Большевиков д. 5 |
neau@niiet.ru
+7 (473) 222-91-70 |
Статус внесения в реестр Минпромторга:
«»
Купить
Цена по запросу