Связаться с нами
Высокие технологии
для цифровой экономики
Продукты и решения
Матричный фоточувствительный прибор с зарядовой связью ФППЗ 34М
ФППЗ имеет секцию накопления и секцию памяти. Секция памяти имеет формат 1048(Г)×1032(В) пикселей и независимое от секции накопления управление.
Стойкость ФППЗ к ИИКП к воздействию фактора 7.С с характеристиками 7.С4 не ниже 5,75×1Ус.
Применение:
Космические аппараты; объекты атомной энергетики; робототехника и системы технического зрения.
Отрасль/Область применения:
Описание:

ФППЗ 34М, стойкий к ионизирующему излучению космического пространства (ИИКП), предназначен для работы в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах спектра, обеспечивающих повышенную точность и помехозащищенность оптико-электронных приборов астроориентации космических аппаратов (КА), угломерных приборов КА, повышенную дальность обнаружения целей в условиях повышенной радиации и сверхширокополосного электромагнитного воздействия средств радиоэлектронного подавления.

Преимущества:
Повышенная радиационная стойкость (не менее 5105 рад); повышенная помехозащищенность.

На базе прибора под требования Заказчика может быть разработано комплексированное изделие, включающее устройство управления и обработки сигнала.

Дополнительные материалы:
ОКПД2:
26.70
Характеристики продукта (ТТХ):
Характеристика Единица измерения Значение
Число пикселей 1024x1024
Размер пикселя мкм 11×11
Напряжение насыщения мВ ≥1000
Коэффициент передачи модуляции на отметке 500 ТВЛ по горизонтали % ≥50
Среднее значение темнового сигнала мВ/c ≤4
Среднеквадратическая неравномерность темнового сигнала по полю % ≤4
Среднеквадратическая локальная в зоне 5×5 пикселей неравномерность темнового сигнала % ≤3
Относительная среднеквадратическая неравномерность выходного сигнала по полю % ≤10
Относительная среднеквадратическая локальная в зоне 5×5 пикселей неравномерность выходного сигнала, % ≤9
Интегральная чувствительность, приведенная к источнику типа A, В/(лк·с) 10÷15
Пороговая экспозиция (при времени накопления до 1 с) лк·с ≤2·10^-5
Коэффициент подавления локальной пересветки отн. ед. ≥2
Неэффективность переноса заряда отн. ед. 1·10^-5
Диапазон спектральной чувствительности нм 450÷1000
Количество белых и черных дефектных пикселей шт ≤100
Организация Описание Регион Адрес Контакты
АО "ЦНИИ "Электрон" Производитель Санкт-Петербург 194223, г. Санкт-Петербург, пр. Тореза, дом 68, лит Р zakaz@niielectron.ru,www.niielectron.ru
+7 (812) 297-82-49 доб. 394
Купить
Цена по запросу
Документация по ЕПОЗ